项目背景：此项目位于江西省南昌市，是天津诺思在南昌投资新建的半导体Fab，在光刻和蚀刻过程中产生大量挥发性有机废气，包括PGME、PGMEA等成分，处理风量45000m³/hr，排放浓度为300mg/m³。

治理工艺：沸石转轮+TO

浓缩倍数：15倍

设计方案：该项目采用沸石转轮浓缩+直燃式热氧化（TO）的治理方案。废气经主工艺风机输送至沸石转轮，废气中的VOCs被沸石吸附后达标排放至大气中，由脱附风机输送的热气将VOCs从沸石中脱附出来，再由TO风机输送至TO反应器中，被氧化成CO₂和H₂O，达标排放至大气中。

验收情况：经过本系统处理后的废气，VOCs的排放浓度及排放速率均能满足天津市《工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB 12/524-2014）表2中电子工业半导体制造行业限值要求，废气净化率可达90%以上，且无二次污染。